IBM发布全球首个2nm芯片制造技术，“蓝色巨人”是如何做到的？(3)

在IBM的这个实现方案下，纳米片有三层，每片的宽度为40纳米，高度为5纳米。（注：这里没有测量的特征实际上是在2纳米处），其间距为44纳米，栅极长度为12纳米。Khare认为这是其他大多数晶圆代工厂在2纳米工艺所使用的尺寸。
据新浪科技引述Darío Gil的话称：“归根结底还是晶体管，计算领域的其他一切都取决于晶体管是否变得更好。但不能保证晶体管会一代又一代地向前发展，因此，每当有更先进的晶体管出现时，这都是件大事。”
这颗2nm芯片还包括首次使用所谓的底部电介质隔离（bottom dielectric isolation）技术、内部空间干燥工艺（inner space dry process）技术、2nm EUV技术等，从而改善原有晶体管技术存在的一些问题。
nextplatform指出，这样的改善带来的最终结果是，制造2nm芯片所需的步骤要比7nm芯片少得多，这将促进整个晶圆厂的发展，并可能也降低某些成品晶圆的成本。

据芯片行业网络媒体AnandTech报道指，IBM的新型2nm芯片每平方毫米（MTr/mm2）具有约3.33亿个晶体管。相比之下，台积电最先进的芯片采用其5nm工艺制造，每平方毫米（MTr/mm2）约有1.73亿个晶体管，而三星的5nm芯片则约为127 MTr/mm2。
尽管这一切听起来不错，但要记住，IBM的这颗2nm芯片仍在概念阶段的证明，而建立在2nm技术节点上的处理器仍可能需要数年的时间。